F50 膜厚測(cè)量?jī)x

F50可以非常簡(jiǎn)單地獲得最大直徑450毫米的樣品薄膜厚度分布圖。采用r-θ 極坐標(biāo)移動(dòng)平臺(tái)，可以快速定位所需的測(cè)試點(diǎn)并且實(shí)時(shí)獲得測(cè)試厚度，大約每秒測(cè)試兩點(diǎn)。

相關(guān)應(yīng)用：半導(dǎo)體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導(dǎo)電膜）；光學(xué)鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。

P7 臺(tái)階儀

P-7可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量，其掃描可達(dá)150mm而無需圖像拼接。

相關(guān)應(yīng)用：薄膜/厚膜臺(tái)階；蝕刻深度量測(cè)；光阻/光刻膠臺(tái)階；柔性薄膜；表面粗糙度/平整度表征；表面曲率和輪廓分析；薄膜的2D stress量測(cè)；表面結(jié)構(gòu)分析；表面的3D輪廓成像；缺陷表征和缺陷分析。

 R50四探針電阻率測(cè)量?jī)x

Filmetrics R50 系列提供接觸式四點(diǎn)探針 (4PP) 和非接觸式渦流 (EC）測(cè)量。最快 1 點(diǎn)/秒的速度映射導(dǎo)電膜的電阻率/電導(dǎo)率。電動(dòng) X-Y 載物臺(tái)使用標(biāo)準(zhǔn)晶片吸盤定制樣品架，最大可測(cè)量 300mm 的樣品,或200mm 的面積。

相關(guān)應(yīng)用：硅片摻雜;金屬層厚度測(cè)試;晶圓片電阻率測(cè)試

Bowman XRF鍍層測(cè)厚儀

在高度不超過9英寸的工件上具有優(yōu)于同類產(chǎn)品的 12 x12英寸可測(cè)量區(qū)域。自動(dòng)多準(zhǔn)直器允許選擇光斑尺寸，以適應(yīng)各種特征尺寸;可變焦攝像頭允許在 0.25 英寸到3.5 英寸的焦距范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量。

相關(guān)應(yīng)用：材料折射率消光系數(shù)測(cè)試；硅片自然氧化層厚度測(cè)試；光刻膠光學(xué)常數(shù)測(cè)試;半導(dǎo)體后段封裝硅上金屬厚度測(cè)量

FS-1 多波長(zhǎng)橢偏儀

Film Sense FS-1多波長(zhǎng)橢偏儀采用壽命長(zhǎng) LED 光源和非移動(dòng)式部件橢偏探測(cè)器，可在操作簡(jiǎn)單的緊湊型橢偏儀中實(shí)現(xiàn)可靠地薄膜測(cè)量。

相關(guān)應(yīng)用：二氧化硅和氮化物，高介電和低介電材料，非晶和多晶材料，硅薄膜，光刻膠。高和低指數(shù)薄膜，如 SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2 。TCO（如 ITO），非晶硅薄膜，有機(jī)薄 膜（OLED 技術(shù)）等